山田貴壽
氏名 山田 貴壽（やまだ たかとし）
学位 東海大学大学院
職位 連携主幹
専門 電子材料、表面・界面物性
学位
1996年 東海大学工学部 電子工学科 卒業
1998年 東海大学大学院工学部 電子工学科 電子工学専攻 博士前期課程 修了
略歴
| 1998年4月 | 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 （~2003年3月） |
| 2003年4月 | 東北大学 多元物質科学研究所 （~2003年12月） |
| 2004年1月 | 産業技術総合研究所（AIST） ダイヤモンド研究センター （~2010年3月） |
| 2010年4月 | 産業技術総合研究所（AIST） ナノチューブ応用研究センター （~2015年3月） |
| 2015年4月 | 産業技術総合研究所（AIST） ナノ材料研究部門 （~2022年3月） |
| 2022年4月 | 研究チーム長 産業技術総合研究所（AIST） ナノカーボンデバイス研究センター 二次元ナノデバイス材料研究チーム |
| 2025年4月 | 上級主任研究員 産業技術総合研究所（AIST） ナノカーボン材料研究部門 ナノ化学研究グループ |
| 2026年2月 | 連携主幹 産業技術総合研究所（AIST） 知財・標準化推進部 標準化推進室 |
原著論文
（ア）筆頭原著招待論文
1. Low temperature graphene synthesisi by microwave plasma CVD
T. Yamada, M. Ishihara, J. Kim and M. Hasegawa
J. Phys. D, 46, (2013) 063001 (Most read Most cited Latest articles, Select articles, Review articles)
2. Field emission from boron and phosphorus doped diamond
T. Yamada, H. Yamaguchi, K. Okano and A. Sawabe
New Diamond and Frontier Carbon Technology, 15, 337 (2005)
3. 負の電子親和力を持つダイヤモンドからの電子放出
山田貴壽, 張甲淳, 岡野健, 平木昭夫
電子情報通信学会誌, J81-C-II, 180 (1998)
（イ）筆頭原著論文
1. Electron beam absorbed current characterization of graphene channel on potassium doped nano graphene
T. Yamada, M. Okada and Y. Okigawa
AIP Advances, 10, 085309 (2020)
2. Effect of potassium doping on the electrical properties of stacked graphene layers
T. Yamada, S. Ogawa, A. Yoshigoe, Y. Tsuda, T. Masuzawa, M. Okada, K. Kobashi and Y. Okigawa
Jpn. J. Appl. Phys. 64, 07SP17 (2025)
3. Electrochemical Doping of Potassium in Hexagonal Boron Nitride toward Nanoelectronics
T. Yamada, Y. Okigawa, R. Kato, Y. Sato and T. Taniguchi
ACS Appl. Nano Mater. 7, 26610–26616 (2024).
4. Potassium-doped nano graphene as an intermediate layer for graphene electronics
T. Yamada, T. Masuzawa and Y. Okigawa
Appl. Phys. Lett. 32 (2023) 021904
5. Relationship between mobility and strain in CVD graphene on h-BN
T. Yamada, Y. Okigawa, M. Hasegawa, K. Watanabe and T. Taniguchi
AIP Adv. 10, 085309 (2020). (Feature article, cover picture)
6. Field emission from potassium-doped vertically aligned carbon nanosheet
T. Yamada and T. Masuzawa
Appl. Pys. Lett. 114, 231601 (2019)
7. Field emission spectroscopy measurements of graphene/n-type diamond heterojunction
T. Yamada, T. Masuzawa, H. Mimura and K. Okano
Appl. Pys. Lett. 114, 231601 (2019)
8. Potassium-doped n-type stacked graphene layers
T. Yamada, Y. Okigawa and M. Hasegawa
Mater. Res. Exp. 6, 055009 (2019)
9. Potassium-doped n-type bilayer graphene
T. Yamada, Y. Okigawa and M. Hasegawa
Phys. Lett. 112, 043105 (2018)
10. Electrical properties of bilayer graphene synthesized by surface wave microwave plasma techniques at low temperature
T. Yamada, H. Kato, Y. Okigawa, M. Ishihara and M. Hasegawa
Nanotechnology 28 (2017) 025725
11. Electron emission from conduction band of heavily phosphorus doped diamond negative electron affinity surface
T. Yamada, T. Masuzawa, H. Mimura and K. Okano
J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2015) 045102
12. Field emission characteristics of graphene/hexagonal boron nitride structure
T. Yamada, T. Masuzawa, T. Ebisudani, K. Okano and T. Taniguchi
Appl. Phys. Lett.104 (2014) 221603
13. Low-temperature graphene synthesis from poly (methyl methacrylate) using microwave plasma treatment
T. Yamada, M. Ishihara and M. Hasegawa
Appl. Exp. Lett. 6 (2013) 115102
14. Nanocrystalline and microcrystalline diamond stacking structure as an insulating material deposited on large area
T. Yamada and M. Hasegawa
phys. stat. sol. (a) 210 (2013) 1998-2001
15. Large area coating of graphene at low temperature using a roll-to-roll microwave plasma chemical vapor deposition
T. Yamada, M. Ishihara and M. Hasegawa
Thin Solid Films 532 (2013) 89-93
16. A roll-to-roll microwave plasma chemical vapor deposition process for production of 294 mm width graphene films at low temperature
T. Yamada, M. Ishihara, J. Kim, M. Hasegwa and S. Iijima
Carbon 50 (2012) 2615-2619. (Most down loaded paper)
17. Field emission model of n-type single crystal cubic boron nitride
T. Yamada, C. E. Nebel and T. Taniguchi
J. Vac. Sci. Technol. B. 29 (2011) 02B115. 【国際共著】
18. Resonant field emission from 2D-DOS on hydrogen terminated intrinsic diamond
T. Yamada, S. Shikata and C. E. Nebel
J. Appl. Phys.107 (2010) 013705
19. Field emission characteristics of nano-structured phosphorus-doped diamond
T. Yamada, C. E. Nebel and S. Shikata
Appl. Sur. Sci. 256(2009)1006
20. Surface modification by vacuum annealing for field emission from heavily phosphorus-doped homoepitaxial (111) diamond
T. Yamada, C. E. Nebel, K. Somu and S. Shikata
Appl. Sur. Sci. 254 (2008) 7921
21. Effect of annealing temperature on field emission properties of P-doped diamond
T. Yamada, C. E. Nebel, S. Kumaragurubaran, H. Uetsuka, H. Yamaguchi, Ken Okano and S. Shikata
Diam. Relat. Mater. 17 (2008) 745
22. Field emission from reconstructed phosphorus-doped homoepitaxial diamond (111)
T. Yamada, C. E. Nebel, S. Kumaragurubaran, H. Uetsuka, H. Yamaguchi, Ken Okano and S. Shikata
phys. stat. sol. (a) 204 (2007) 2957
23. Cycle of two-plasma etching process using ICP for diamond MEMS applications
T. Yamada, H. Yoshikawa, S. Kumaragurubaran, H. Uetsuka, N. Tokuda and S. Shikata
Diam. Relat. Mater.16 (2007) 996
24. Field emission from surface-reconstructed heavily phosphorus-doped homoepitaxil diamond (111)
T. Yamada, H. Yamaguchi, Y. Kudo, K. Okano, S. Shikata and C. E. Nebel
J. Vac. Sci. Technol. B.25 (2007) 528
25. Field emission from reconstructed heavily phosphorus-doped diamond
T. Yamada, H. Kato, D. Takeuchi, S. Shikata, H. Yamaguchi, K, Okano and C. E. Nebel
Dia. Relat. Mater. 15 (2006) 863
26. Field emission from reconstructed heavily phosphorus-doped diamond
T. Yamada, K. Okano, H. Yamaguchi, H. Kato S. Shikata and C. E. Nebel
App. Phys. Lett. 88 (2006) 212114
27. Field emission from H- and O-terminated heavily P-doped homoepitaxial diamond
T. Yamada, H. Kato, S. Shikata, C. E. Nebel, H. Yamaguchi, Y. Kudo and K. Okano
J. Vac. Sci., Technol. B.24 (2006) 967
28. Field emission mechanism of oxidized highly phosphorus-doped homoepitaxial diamond (111)
T. Yamada, C. E. Nebel, D. Takeuchi, B. Rezek, N. Fujimori, Y. Nishibayashi, A. Namba, H. Yamaguchi, I. Saito and K. Okano
Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 234107
29. Self-aligned fabrication of single crystal diamond gated field emitter array
T. Yamada, P. R. Vinod, D. H. Hwang, H. Yoshikawa, S. Shikata and N. Fujimori
Diam. Rela. Mater.14 (2005) 2047
30. Characterization of field emission from nano-scaled diamond tip arrays
T. Yamada, D. S. Hang, P. R. Vinod and N. Fujimori
Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L385
31. Passivation of hydrogen terminated diamond surface conductive layer using hydrogenated amorphous carbon
T. Yamada, A. Kojima, S. Sawabe and K. Suzuki
Diam. Relat. Mater.13 (2004) 776
32. Electron emission from hydrogenated and oxidized heteroepitaxial diamond doped with boron
T. Yamada, T. Yokoyama and A. Sawabe
Diam. Relat. Matter. 11 (2002) 780
33. Growth of homoepitaxial diamond doped with nitrogen for electron emitter
T. Yamada, A. Sawabe, S. Koizumi, T. Kamio and K. Okano
Diam. Relat. Matter.11 (2002) 257
34. Effect of sp2/sp3 on electron emission properties of nitrogen-doped diamond electron emitter
T. Yamada, A. Sawabe, S. Koizumi, J. Itoh, T. Kamio and K. Okano
phys. stat. sol (a) 186 (2001) 257
35. Effect of oxygen coverage on electron emission from boron-doped polycrystalline diamond
T. Yamada, K. Kanda, K. Okano and A. Sawabe
Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L829
36. Uniform electron emission from nitrogen-doped diamond-based electron emitter fabricated by sintering technique
T. Yamada, A. Sawabe, S. Koizumi, J. Itoh and K. Okano
IEEE. Electron Device Lett. 21 (2000) 531
37. Potential profile between anode electrode and boron-doped diamond electron emitter
T. Yamada, A. Sawabe, S. Koizumi, J. Itoh and K. Okano
Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1297
38. Electron emission from a heteroepitaxial diamond planar emitter
T. Yamada, H. Maede and A Sawabe
Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L902
39. Formation of backcontacts on diamond electron emitters
T Yamada, A Sawabe, K. Okano, S Koizumi and J. Itoh
Appl. Sur. Sci. 146 (1999) 245
40. Electron emission from pyramidal-shape diamond after hydrogen and oxygen surface treatments
T Yamada, H. Ishihara, K. Okano, S. Koizumi and J. Itoh,\
J Vac., Sci. Technol. B15 (1997)
研究業績
研究業績リスト(産総研山田貴壽)受賞・表彰
2017年11月 ニューダイヤモンドフォーラム
優秀講演賞 ロックイン発熱計測法を用いた大面積グラフェン膜の欠陥構造イメージング
2016年11月 ニューダイヤモンドフォーラム
優秀ポスター講演賞 C60を固体炭素源とする透明導電膜の形成